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비소화 갈륨

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목차

1. 개요

비소화 갈륨(GaAs)은 갈륨과 비소의 화합물로, 1926년 처음 합성 및 연구되었다. 반도체 특성을 갖는 물질로, 1950년대부터 상업적으로 생산되기 시작했다. GaAs는 높은 전자 이동도와 넓은 밴드갭을 가져, 고속 트랜지스터, LED, 레이저 다이오드, 태양 전지 등 다양한 전자 소자에 활용된다. 특히, GaAs는 태양 전지 분야에서 높은 효율을 보이며, 우주 및 특수 환경에서 사용되는 고성능 태양 전지 제작에 중요한 재료이다.

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비소화 갈륨 - [화학 물질]에 관한 문서
일반 정보
갈륨 비소 단위 셀 3D 볼
갈륨 비소 단위 셀
GaAs 웨이퍼
(100) 방향 GaAs 웨이퍼
화학식GaAs
몰 질량144.645 g/mol
외관회색 결정
냄새습기가 있을 때 마늘 냄새
성질
밀도5.3176 g/cm3
용해도불용성
다른 용매에 대한 용해도HCl에 용해, 에탄올, 메탄올, 아세톤에 불용
녹는점1238 °C
밴드갭1.424 eV (300 K에서)
전자 이동도9000 cm2/(V·s) (300 K에서)
열 전도율0.56 W/(cm·K) (300 K에서)
굴절률3.3
자기 감수율-16.2×10-6 cgs
구조
분자 모양선형
결정 구조섬아연광
공간군Td2-F-43m
격자 상수565.315 pm
배위수사면체
위험성
신호어위험
NFPA 704NFPA-H: 3
NFPA-F: 0
NFPA-R: 0
외부 MSDS외부 MSDS
관련 화합물
다른 음이온질화 갈륨
인화 갈륨
안티모니화 갈륨
식별 정보
CAS 등록번호1303-00-0
UNII27FC46GA44
PubChem CID14770
ChemSpider ID14087
EINECS 번호215-114-8
UN 번호1557
MeSH 이름gallium+arsenide
RTECS 번호LW8800000
SMILES[Ga]#[As]
SMILES (alternative)[Ga+3].[As-3]
표준 InChI1S/AsH3.Ga.3H/h1H3;;;;
표준 InChIKeySHVQQKYXGUBHBI-UHFFFAOYSA-N

2. 역사

비소화 갈륨(GaAs)은 1920년대 처음 합성된 이후[7][8], 1950년대에 이르러 반도체로서의 특성이 밝혀지고 상업적 생산이 시작되었다.[9][10][11][12] 1960년대에는 이를 활용한 초기 전자 소자 개발이 이루어졌다.[11]

2. 1. 초기 연구 및 합성 (1920년대 ~ 1950년대)

갈륨 비소는 1926년 빅토르 골트슈미트와 그의 동료 돈더 비슈나가 처음으로 합성하고 연구했다. 이들은 수소와 섞인 비소 증기를 600°C에서 산화 갈륨(III) 위로 통과시키는 방법을 사용했다.[7][8] 갈륨 비소(GaAs) 및 다른 III-V족 화합물의 반도체 특성은 1951년 지멘스-슈케르트 소속의 하인리히 뵐커가 특허를 획득했으며[9], 1952년 관련 내용을 발표했다.[10] 갈륨 비소 단결정의 상업적 생산은 1954년에 시작되었고[11], 1950년대 동안 관련 연구가 활발히 이루어졌다.[12]

2. 2. 초기 전자 소자 개발 (1960년대)

갈륨 비소(GaAs)는 1926년 빅토르 골트슈미트와 그의 동료가 수소와 섞인 비소 증기를 600°C에서 산화 갈륨(III) 위로 통과시키는 방법으로 처음 합성하고 연구했다.[7][8] GaAs를 포함한 III-V족 화합물의 반도체로서의 특성은 1951년 지멘스-슈케르트의 하인리히 뵐커가 특허를 냈고[9], 1952년 관련 내용이 발표되었다.[10] 이후 1954년부터 단결정 형태의 상업적 생산이 시작되었으며[11], 1950년대 동안 관련 연구가 활발히 진행되었다.[12] 이러한 연구 개발의 결과로 1962년에는 최초의 적외선 LED가 만들어졌다.[11]

3. 제조 및 화학적 특성

비소화 갈륨(GaAs)은 갈륨(Ga)과 비소(As)로 이루어진 대표적인 III-V족 반도체 화합물이다. 화합물 내에서 갈륨은 주로 +3의 산화 상태를 가진다.[6] 비소화 갈륨은 단결정 성장이나 박막 증착 등 다양한 공정을 통해 제조된다.

이 물질은 은색 금속 광택을 띠며, 상온에서 안정적인 섬아연광 결정 구조를 갖는다. 분자량은 144.64, 녹는점은 1511 K, 비중은 5.310이다. 비소 화합물이지만 자체 독성은 비교적 약하나, 산이나 수증기와 반응하면 유독한 아르신(AsH3)을 생성할 수 있어 취급에 주의해야 한다. 반도체 재료로서 1.43 eV의 밴드갭을 가지며, 실리콘보다 높은 전자 이동도(8500 cm2/(V·s))와 홀 이동도(400 cm2/(V·s))를 나타낸다.

공기 중에서 표면이 산화되어 성능이 저하될 수 있으므로, 표면 패시베이션 처리가 필요할 수 있다.[15]

3. 1. 단결정 성장

화합물에서 갈륨은 +3 산화 상태를 갖는다. 단결정 비소화 갈륨은 다음 세 가지 산업 공정을 통해 제조할 수 있다.[6]

  • 수직 온도 구배 응고(VGF) 공정.[13]
  • 갈륨과 비소 증기가 반응하고, 자유 분자가 용광로의 더 차가운 끝 부분에 있는 종자 결정에 증착되는 브리지먼-스톡바거 기술의 수평 구역 용광로를 사용한 결정 성장.
  • 액체 봉입 초크랄스키 공법 (LEC) 성장은 반절연 특성을 나타낼 수 있는 고순도 단결정을 생산하는 데 사용된다. 대부분의 GaAs 웨이퍼는 이 공정을 사용하여 생산된다.


GaAs 필름을 생산하는 대체 방법은 다음과 같다.[6][14]

  • 기체상 갈륨 금속과 삼염화 비소(AsCl3)의 화학 기상 증착 (VPE) 반응: 2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2
  • 트리메틸갈륨(Ga(CH3)3)과 아르신(AsH3)의 유기 금속 화학 기상 증착 (MOCVD) 반응: Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4
  • 갈륨과 비소의 분자선 에피택시 (MBE): 4 Ga + As4 → 4 GaAs 또는 2 Ga + As2 → 2 GaAs


GaAs의 산화는 공기 중에서 발생하여 반도체의 성능을 저하시킨다. 표면은 tert-부틸 갈륨 설파이드 화합물(예: (tBuGaS)7)과 같은 입방 황화 갈륨(II) 층을 증착하여 패시베이션할 수 있다.[15]

3. 2. 화학적 특성

화합물에서 갈륨은 일반적으로 +3의 산화 상태를 가진다.[6] 비소화 갈륨은 은색 금속 광택을 띠는 화합물로, 상온에서 안정적인 결정 구조는 섬아연광 구조(징크 블렌드형)이다. 분자량은 144.64이며, 녹는점은 1511 K, 비중은 5.310이다.

비소 화합물이지만 비소화 갈륨 자체의 독성은 비교적 약한 것으로 알려져 있다. 그러나 산이나 수증기와 반응하면 유독한 아르신(AsH3) 가스를 생성할 수 있어 취급에 주의가 필요하다.

반도체 재료로서 비소화 갈륨은 1.43 eV의 밴드갭을 갖는 대표적인 III-V족 반도체이다. 상온에서의 전자 이동도는 약 8500 cm2/(V·s)이고, 홀 이동도는 약 400 cm2/(V·s)로 실리콘에 비해 전자의 이동 속도가 빠르다.

비소화 갈륨은 공기 중에서 표면이 산화되어 반도체 소자로서의 성능을 저하시킬 수 있다. 이러한 산화를 막기 위해 표면 패시베이션 처리를 하기도 하는데, 예를 들어 tert-부틸 갈륨 설파이드 화합물((tBuGaS)7)과 같은 입방 황화 갈륨(II) 층을 증착하는 방법이 있다.[15]

비소화 갈륨 박막(film)은 다음과 같은 화학 반응을 통해 생산될 수 있다.[6][14]

  • 화학 기상 증착 (VPE): 기체 상태의 갈륨 금속과 삼염화 비소(AsCl3)를 반응시킨다. (2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2)
  • 유기 금속 화학 기상 증착 (MOCVD): 트리메틸갈륨(Ga(CH3)3)과 아르신(AsH3)을 반응시킨다. (Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4)
  • 분자선 에피택시 (MBE): 고체 갈륨과 비소를 직접 반응시킨다. (4 Ga + As4 → 4 GaAs 또는 2 Ga + As2 → 2 GaAs)

3. 3. 식각 (Etching)

비소화 갈륨의 습식 식각은 산업적으로 과산화 수소 또는 브롬수를 산화제로 사용하며,[17] 동일한 방식이 비소화 갈륨을 포함하는 스크랩 부품을 처리하는 것과 관련된 특허에도 설명되어 있다. 이 과정에서 Ga3+는 예를 들어 하이드록사믹산("HA")과 복합체를 이룬다.[18] 화학 반응식은 다음과 같다.

GaAs + H2O2 + "HA" → "GaA" 복합체 + H3AsO4 + 4 H2O

이 반응은 비산(H3AsO4)을 생성한다.[19]

4. 전자 소자 응용

비소화 갈륨(GaAs)은 실리콘과 비교하여 뛰어난 특정 전자적 특성, 특히 높은 전자 이동도와 직접 밴드갭 구조 덕분에 다양한 전자 소자 분야에서 중요한 역할을 한다.[22] 이러한 특성은 GaAs가 고주파수 환경과 광전자 소자 응용에 특히 적합하게 만든다.

GaAs의 높은 포화 전자 속도와 전자 이동도는 트랜지스터가 250 GHz 이상의 초고주파수에서 작동할 수 있게 하며,[22] 이는 휴대 전화, 통신 위성, 마이크로파 통신 링크, 고주파수 레이더 시스템 등에 필수적이다.[22] GaAs 기반 소자는 고주파수에서 전자 회로 잡음을 적게 발생시키는 경향이 있어[22] 저잡음 증폭기(LNA) 제작에 유리하다.[33][34] 또한 마이크로파 발생을 위한 건 다이오드 제조에도 사용된다.

GaAs는 직접 밴드갭 구조를 가지므로 빛을 효율적으로 흡수하고 방출할 수 있어, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드, 광 검출기 등 광전자 소자 제작에 널리 쓰인다.[32] 특히 적색 및 적외선 영역의 LED와 반도체 레이저에 많이 활용된다.

넓은 밴드갭과 방사선 손상에 대한 저항력 덕분에 우주 환경에서 사용되는 전자 장치나 고전력 응용 분야의 광학 창으로도 적합하다.[22]

또한, 순수한 GaAs는 저항이 매우 높아(반절연성 기판) 집적 회로 제작 시 소자 간의 자연스러운 절연을 제공한다. 이는 활성 소자와 수동 소자를 하나의 칩에 집적하는 모놀리식 마이크로파 집적 회로(MMIC) 제작에 이상적인 특성이다.[33][34] GaAs 트랜지스터는 휴대 전화 및 무선 통신의 RF 전력 증폭기에도 널리 사용된다.[31][32]

4. 1. 디지털 논리 회로

비소화 갈륨(GaAs)은 다음과 같은 다양한 트랜지스터 유형에 사용될 수 있다:[20]

  • 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터 (MESFET)
  • 고전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)
  • 접합 전계 효과 트랜지스터 (JFET)
  • 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 (HBT)
  • 금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET)[21]


이 중 HBT는 집적 주입 논리 (I2L)에 사용될 수 있다.

가장 초기의 GaAs 논리 게이트는 버퍼링된 FET 논리 (BFL)를 사용했다.[20]

1975년경부터 1995년까지 사용된 주요 논리 계열은 다음과 같다:[20]

  • 소스 결합 FET 논리 (SCFL): 가장 빠르고 복잡하며, TriQuint와 Vitesse에서 사용했다.
  • 커패시터-다이오드 FET 논리 (CDFL): 크레이-3에 사용되었다.
  • 직접 결합 FET 논리 (DCFL): 가장 단순하고 전력 소모가 적으며, Vitesse에서 VLSI 게이트 어레이에 사용했다.

4. 2. 실리콘과의 비교

비소화 갈륨(GaAs)과 실리콘(Si)은 현대 전자공학에서 중요한 반도체 재료이지만, 서로 다른 물리적, 전기적 특성을 가지고 있어 사용되는 분야가 다르다. GaAs는 전자 이동도가 높아 고주파수 환경에 유리하고 직접 밴드갭 구조로 인해 LED나 레이저 다이오드 같은 광소자 제작에 강점을 보인다.[22] 반면, 실리콘은 지구상에 풍부하게 존재하여 가격이 저렴하고, 안정적인 산화막 (SiO2)을 쉽게 형성할 수 있어 집적 회로(IC) 제작에 널리 사용되며, 특히 CMOS 공정에 유리하다.[25][26]

각 재료의 구체적인 장점과 단점은 아래 하위 섹션에서 더 자세히 다룬다.

4. 2. 1. 갈륨비소의 장점

갈륨 비소(GaAs)는 특정 전자적 특성 면에서 실리콘(Si)보다 우수한 점을 보인다. GaAs는 실리콘보다 더 높은 포화 전자 속도와 전자 이동도를 가지고 있어, 이를 이용한 트랜지스터는 250 GHz 이상의 고주파수에서도 작동할 수 있다.[22] 또한, GaAs 기반 소자는 에너지 밴드갭이 넓어 과열에 상대적으로 덜 민감하며, 특히 고주파수 환경에서 실리콘 소자보다 전자 회로 잡음을 적게 발생시키는 경향이 있다. 이는 높은 캐리어 이동도와 낮은 저항성 기생 효과 덕분이다. 이러한 장점 때문에 GaAs는 휴대 전화, 통신 위성, 마이크로파 지점 간 링크, 고주파수 레이더 시스템 등 다양한 분야에서 활용된다.[22] 마이크로파 발생을 위한 건 다이오드 제작에도 사용된다.

GaAs의 또 다른 중요한 장점은 직접 밴드갭 구조를 가지고 있다는 점이다. 이 구조 덕분에 빛을 효율적으로 흡수하고 방출할 수 있어 광전자 소자에 유리하다. 반면, 실리콘은 간접 밴드갭 구조를 가져 빛 방출 효율이 상대적으로 낮다.

넓은 직접 밴드갭과 방사선 손상에 대한 저항력 덕분에 GaAs는 우주 환경에서 사용되는 전자 장치나 고전력 응용 분야의 광학 창으로 매우 적합한 재료이다.[22]

순수한 상태의 GaAs는 넓은 밴드갭으로 인해 저항이 매우 높다. 이는 높은 유전율과 결합하여 GaAs를 집적 회로(IC) 제작에 매우 유용한 기판으로 만든다. 실리콘 기판과 달리, GaAs 기판은 소자들 사이에 자연스러운 절연 특성을 제공한다. 이러한 특성 덕분에 활성 소자와 수동 소자를 하나의 GaAs 칩 위에 쉽게 집적할 수 있는 모놀리식 마이크로파 집적 회로(MMIC) 제작에 이상적이다. GaAs 기판은 저항률이 매우 높아(시트 저항 값이 수 MΩ에 달함) 반절연성 기판이라고도 불리는데, 이는 기판으로의 누설 전류나 기생 용량을 효과적으로 억제할 수 있게 해준다. 이는 현재 SOI(Silicon-on-insulator) 기술을 이용한 전계 효과 트랜지스터(FET)와 유사한 장점을 제공하며, 응답 속도가 빠르고 소비 전력이 적은 반도체 소자를 만드는 데 유리하다. 다만, 절연성의 원인이 되는 미드갭(mid-gap) 근처의 준위가 시정수를 증가시켜(수 ms ~ 수 s) 소자 동작의 불안정성을 유발할 수 있다는 단점도 지적된다.

최초의 GaAs 기반 마이크로프로세서 중 하나는 1980년대 초 RCA에서 개발되었으며, 당시 미국 국방부의 전략 방위 구상(SDI, 일명 스타워즈 프로그램)에 사용될 후보로 고려되었다. 이 프로세서들은 실리콘 기반 프로세서보다 몇 배 더 빠르고 방사선에 대한 저항력도 훨씬 높았지만, 가격이 비싸다는 단점이 있었다.[23] 슈퍼컴퓨터 제조사였던 Cray, Convex, Alliant 등도 당시 빠르게 발전하던 CMOS 마이크로프로세서와의 경쟁에서 우위를 점하기 위해 GaAs 프로세서를 도입했다. Cray는 1990년대 초 GaAs 기반의 Cray-3 슈퍼컴퓨터를 실제로 제작했지만, 충분한 투자를 확보하지 못해 결국 1995년 파산했다.[23]

GaAs는 알루미늄 비소(AlAs)나 알루미늄 갈륨 비소(AlxGa1−xAs)와 같은 다른 화합물 반도체와 결합하여 복잡한 다층 구조를 형성하는 데에도 사용된다. 이러한 구조는 분자선 에피택시(MBE)나 유기금속 기상 에피택시(MOVPE) 같은 정밀한 공정을 통해 성장시킨다. GaAs와 AlAs는 격자 상수가 거의 동일하기 때문에, 서로 다른 층을 쌓아 올릴 때 변형이 거의 발생하지 않아 매우 얇거나 두꺼운 층을 자유롭게 만들 수 있다. 이를 통해 매우 높은 성능과 전자 이동도를 갖는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)나 다른 양자 우물 소자를 제작할 수 있다.

또한 GaAs는 모놀리식 레이더 전력 증폭기에도 사용되지만, 이 분야에서는 질화 갈륨(GaN)이 열 손상에 더 강한 특성을 보여 경쟁하거나 대체하는 추세이다.[24]

4. 2. 2. 실리콘의 장점

규소(Si)는 집적 회로 제조에서 비소화 갈륨(GaAs)보다 세 가지 주요 이점을 가지고 있다.

첫째, 규소는 규산염 광물의 형태로 풍부하게 존재하며 가공 비용이 저렴하다. 규소 산업에서 가능한 규모의 경제 역시 GaAs의 광범위한 채택을 어렵게 만드는 요인 중 하나이다.

또한, Si 결정은 매우 안정적인 구조를 가지며, 매우 큰 직경의 잉곳으로 성장시킬 수 있고 매우 높은 수율로 가공할 수 있다. 규소는 상당히 좋은 열 전도체이기도 하여, 작동 중 발생하는 열을 효과적으로 제거해야 하는 트랜지스터를 매우 조밀하게 배치하는 것을 가능하게 한다. 이는 매우 큰 규모의 집적 회로(IC) 설계 및 제조에 매우 중요한 장점이다. 이러한 우수한 기계적 특성은 빠르게 발전하는 나노전자공학 분야에도 적합한 재료로 만든다. 반면, GaAs 표면은 확산 공정에 필요한 고온을 견디기 어렵다. 이에 대한 대안으로 1980년대부터 이온 주입 기술이 연구되고 활용되었다.[25]

Si의 두 번째 주요 장점은 절연체로 사용되는 고유 산화물, 즉 이산화 규소(SiO2)의 존재이다. 이산화 규소는 규소 회로에 쉽게 통합될 수 있으며, 이 산화물 층은 기반이 되는 규소에 안정적으로 부착된다. SiO2는 띠 간격이 8.9 eV에 달하는 좋은 절연체일 뿐만 아니라, Si-SiO2 계면(interface)은 우수한 전기적 특성, 특히 낮은 계면 상태 밀도를 갖도록 쉽게 설계할 수 있다. 반면, GaAs는 고유 산화물이 없으며 안정적으로 부착되는 절연층을 쉽게 형성하기 어렵고, Si-SiO2만큼의 유전 강도나 표면 부동태화(passivation) 특성을 가지지 못한다.[25] 산화 알루미늄(Al2O3)은 GaAs뿐만 아니라 InGaAs의 게이트 산화물로서 가능성을 확인하기 위해 광범위하게 연구되었다.

규소의 세 번째 장점은 GaAs보다 높은 정공 이동도(500 대 400 cm2V−1s−1)를 가진다는 점이다.[26] 이 높은 이동도는 CMOS 논리에 필요한 고속 P 채널 전계 효과 트랜지스터(FET)의 제작을 가능하게 한다. 빠른 CMOS 구조를 만들기 어렵기 때문에, GaAs 회로는 전력 소비가 훨씬 높은 논리 방식을 사용해야 하며, 이로 인해 GaAs 논리 회로는 규소 논리 회로와 경쟁하기 어렵게 되었다.

태양 전지 제조의 경우, 규소는 햇빛에 대한 몰 흡광도가 비교적 낮아 대부분의 햇빛을 흡수하려면 약 100 마이크로미터 두께의 Si 층이 필요하다. 이러한 두께의 층은 비교적 견고하고 취급하기 쉽다. 반대로 GaAs의 흡수율은 매우 높아 모든 빛을 흡수하는 데 몇 마이크로미터의 두께만 필요하다. 결과적으로 GaAs 박막은 기판 재료로 지지되어야 하는 단점이 있다.[27]

규소는 순수한 원소이기 때문에, GaAs에서 발생할 수 있는 화학 양론적 불균형이나 열적 분해 문제를 피할 수 있다.[28]

규소는 거의 완벽한 격자 구조를 가지고 있으며, 불순물 밀도가 매우 낮아 2020년 상업 생산 기준으로 5 nm 수준의 매우 작은 구조까지 제작할 수 있다.[29] 반면, GaAs는 불순물 밀도가 매우 높아[30] 작은 구조의 집적 회로를 만들기 어려우며, 일반적으로 500 nm 공정이 사용된다.

또한, 규소는 GaAs보다 약 3배 높은 열전도율을 가져, 고출력 장치에서 국부적인 과열 위험이 적다.[24]

'''실리콘(Si)과 비소화 갈륨(GaAs)의 주요 특성 비교'''
특성실리콘 (Si)비소화 갈륨 (GaAs)
정공 이동도500 cm2V−1s−1[26]400 cm2V−1s−1[26]
고유 산화물 (안정적 절연체)SiO2 (존재)없음
일반적인 최소 공정 크기5 nm (2020년 기준)[29]500 nm
열전도율GaAs의 약 3배[24]Si의 약 1/3[24]


4. 3. 마이크로프로세서

비소화 갈륨은 일반적인 반도체 재료인 실리콘보다 전자의 이동 속도가 빠르다. 또한, 도핑하지 않은 상태의 기판은 저항률이 매우 높아(시트 저항 값이 수 MΩ 수준) 반절연성 기판이라고 불린다.

이처럼 높은 저항률 덕분에 기판을 통해 전류가 새어 나가는 누설 전류나 원치 않는 전기 용량이 생기는 기생 용량을 효과적으로 줄일 수 있다. 이는 현재 SOI(Silicon on Insulator) 기술을 이용한 FET(Field-Effect Transistor)와 비슷한 특성을 갖게 한다.

이러한 특성 덕분에 비소화 갈륨은 응답 속도가 빠르고 소비 전력이 적은 반도체 소자를 만드는 데 적합한 재료로 평가받는다. 하지만 단점도 존재하는데, 절연 특성을 만드는 원인이 되는 미드갭(mid-gap) 근처의 준위가 시정수를 늘리는(수 ms에서 수 s까지) 결과를 낳아 소자 동작이 불안정해지는 원인이 되기도 한다.

5. 광전자 소자 응용

비소화 갈륨(GaAs)은 우수한 반도체 특성을 바탕으로 다양한 광전자 소자 분야에서 핵심적인 역할을 수행한다. 특히 높은 전자 이동도와 직접 천이형 밴드갭 구조는 고속 전자 소자 및 광소자 응용에 유리하다.

주요 응용 분야로는 고효율 태양 전지, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드, 방사선 검출용 섬광체 등이 있다. 태양 전지 분야에서는 특히 우주 환경과 같이 고성능이 요구되는 곳에서 높은 효율과 내구성으로 주목받고 있으며, 다중 접합 태양 전지 기술의 기반이 된다.[35][36][40] 직접 천이 특성을 활용하여 적색 및 근적외선 영역의 발광 다이오드와 레이저 다이오드 제작에 널리 사용된다. 또한 특정 원소로 도핑된 GaAs는 극저온에서 이온화 방사선을 감지하는 고성능 섬광체로 활용될 가능성을 보여주고 있다.

이 외에도 이종접합 구조를 이용한 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)나 이종접합 양극성 트랜지스터(HBT) 등 고속 통신용 반도체 소자 재료로도 중요하게 사용되며,[47] 광섬유 온도 센서[69]나 X선 감지기[47] 등 다양한 분야에서 응용되고 있다.

5. 1. 태양 전지

비소화 갈륨(GaAs)은 고가이지만 효율이 높은 태양 전지를 만드는 데 중요한 반도체 재료로, 단결정 박막 태양 전지 및 다중 접합 태양 전지 제작에 사용된다.[35]

GaAs 태양 전지가 우주에서 실제로 사용된 첫 사례는 1965년에 발사된 베네라 3호 임무였다. 당시 콴트(Kvant)에서 제조한 GaAs 태양 전지는 고온 환경에서 더 뛰어난 성능을 보였기 때문에 선택되었다.[36] 비슷한 이유로 루노호트 로버에도 GaAs 전지가 사용되었다.

1970년, 소련의 조레스 알페로프가 이끄는 연구팀은 GaAs 이종 구조 태양 전지를 개발하여 효율을 크게 향상시켰다.[37][38][39] 1980년대 초에는 최고의 GaAs 태양 전지 효율이 기존의 결정질 실리콘 기반 태양 전지의 효율을 넘어섰다. 1990년대에 이르러 GaAs 태양 전지는 위성용 광전지 배열에서 실리콘을 대체하며 가장 일반적으로 사용되는 전지 유형이 되었다. 이후 게르마늄(Ge) 및 인듐 갈륨 인화물(InGaP) 층을 활용한 GaAs 기반 이중 및 삼중 접합 태양 전지가 개발되었다. 이 삼중 접합 전지는 32% 이상의 기록적인 효율을 달성했으며, 태양광을 2,000배 집중시킨 빛에서도 작동할 수 있다. 이러한 고성능 태양 전지는 화성 표면을 탐사한 화성 탐사 로버인 스피릿과 오퍼튜니티의 동력원으로 사용되었으며, 많은 태양광 자동차와 허블 우주 망원경의 태양광 어레이에도 GaAs가 사용된다.[40]

GaAs 기반 장치는 2019년 기준으로 29.1%의 효율을 기록하며 단일 접합 태양 전지 중 세계 최고 효율 기록을 보유하고 있다. 이러한 높은 효율은 매우 높은 품질의 GaAs 에피택셜 성장 기술, AlGaAs를 이용한 표면 패시베이션(표면 안정화)[41], 그리고 박막 설계를 통한 광자 재활용 촉진[42] 덕분이다. 또한 GaAs 기반 광전지는 빛을 전기로 변환하는 데 있어 최고 효율(2022년 기준) 기록도 가지고 있으며, 프라운호퍼 태양 에너지 시스템 연구소의 연구원들은 858 나노미터 파장의 단색 레이저 빛을 GaAs 박막 광전지에 쪼였을 때 68.9%의 변환 효율을 달성했다.[43]

현재 다중 접합 GaAs 전지는 기존 광전지 기술 중 가장 높은 효율을 보이며, 이러한 추세는 가까운 미래에도 지속될 것으로 예상된다.[44] 2022년에는 로켓 랩이 역 메타모픽 다중 접합(IMM, Inverted Metamorphic Multijunction) 기술을 기반으로 33.3%의 효율을 가진 태양 전지를 공개했다.[45] IMM 기술은 격자 상수(원자 배열 간격)가 맞는 재료를 먼저 성장시킨 후, 격자 상수가 맞지 않는 재료를 성장시키는 방식이다. 예를 들어, 상단 전지인 GaInP는 GaAs 기판과 격자 상수가 일치하도록 먼저 성장시키고, 그 위에 최소한의 불일치를 갖는 GaAs 또는 GaInAs 층을, 마지막으로 가장 큰 격자 불일치를 갖는 층을 쌓는다.[46] 성장 후에는 전지를 보조 기판에 옮기고 원래의 GaAs 기판을 제거한다. IMM 공정의 주요 장점은 격자 불일치를 역으로 성장시킴으로써 더 높은 전지 효율을 달성할 수 있는 길을 연다는 점이다.

양자 우물 구조를 사용하는 AlxGa1−xAs-GaAs 장치는 적외선 방사선 감지에 활용될 수 있다(QWIP). 또한 GaAs 다이오드는 X선을 감지하는 데에도 사용될 수 있다.[47]

이처럼 GaAs 기반 광전지 기술은 태양 전지 효율 면에서 뚜렷한 우위를 보이지만, 높은 비용 때문에 오늘날 시장에서의 사용은 상대적으로 제한적이다. 지난 10년간 태양광 발전은 다른 어떤 에너지원(풍력, 수력, 바이오매스 등)보다 빠르게 성장했지만,[48] GaAs 태양 전지는 아직 광범위한 태양광 발전에 채택되지 못하고 있다. 주된 이유는 비용 문제이다. 우주 응용 분야에서는 고성능이 필수적이며 감마선 조사나 극심한 온도 변화에 대한 저항성이 중요하기 때문에[49] 높은 비용을 감수하고 GaAs 기술을 사용한다. 하지만 일반적인 응용 분야에서는 실리콘 기반 태양 전지보다 2~3배 더 비싼[50] GaAs 전지를 사용하기 어렵다. 이러한 비용 상승의 주요 원인은 에피택셜 성장 공정 비용과 전지를 증착하는 데 사용되는 기판 비용이다.

GaAs 태양 전지는 주로 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD)이나 수소화물 기상 에피택시(HVPE)와 같은 에피택셜 성장 기술을 이용해 제조된다. 이러한 방법의 비용을 크게 줄이기 위해서는 공정 장비 비용, 생산 처리량, 재료 비용 및 제조 효율성을 개선해야 한다.[50] 증착 속도를 높이는 것이 비용 절감에 도움이 될 수 있지만, 냉각 및 가열과 같은 다른 공정 단계에서 소요되는 고정 시간 때문에 그 효과는 제한적일 수 있다.[50]

태양 전지를 성장시키는 데 사용되는 기판은 일반적으로 게르마늄이나 갈륨 비소인데, 이 재료들은 상당히 비싸다. 기판 비용을 줄이는 주요 방법 중 하나는 기판 재사용이다. 이를 위해 초기에 제안된 방법은 에피택셜 리프트 오프(ELO)였지만,[51] 이 방법은 시간이 오래 걸리고 불산을 사용하기 때문에 다소 위험하며 여러 후처리 단계를 필요로 한다. 그러나 표면 패시베이션을 유지하고 에칭 잔류물을 최소화하면서 ELO를 수행하고 GaAs 기판을 직접 재사용할 수 있도록, 인화물 기반 재료와 염산을 사용하는 다른 방법들이 제안되었다.[52] 또한 스팰링(spalling)이라는 기술을 사용하여 기판을 분리하고 재사용할 수 있다는 예비 연구 결과도 있다.[53] 기판 비용을 줄이기 위한 또 다른 접근법은 더 저렴한 재료를 사용하는 것이지만, 이 용도에 적합한 저가 재료는 아직 상업적으로 이용 가능하거나 개발되지 않았다.[50]

GaAs 태양 전지 비용을 낮추기 위한 또 다른 방안은 집광형 태양광 발전(CPV) 기술을 활용하는 것이다. 집광기는 렌즈나 포물선 거울을 사용하여 햇빛을 작은 면적의 태양 전지에 집중시키므로, 동일한 전력 생산량을 얻기 위해 더 작고 저렴한 GaAs 태양 전지를 사용할 수 있게 한다.[54] 집광형 태양광 시스템은 기존의 태양광 발전 기술 중 가장 높은 효율을 달성할 수 있는 잠재력을 가지고 있다.[55]

따라서 집광형 태양광 발전과 같은 기술의 활용과 더불어 에피택셜 성장 및 기판 비용을 낮추기 위한 지속적인 연구 개발은 GaAs 태양 전지의 비용을 절감하고 지상 응용 분야로의 확대를 가능하게 할 수 있을 것으로 기대된다.

5. 2. 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드

비소화 갈륨의 밴드 구조. 비소화 갈륨의 직접적인 밴드갭은 1.424 eV (~870 nm)에서 적외선을 효율적으로 방출한다.


비소화 갈륨은 직접 천이형 반도체 재료로, 빛을 효율적으로 방출하는 특성을 가진다. 이러한 특성 때문에 적색 및 적외선 영역의 발광 다이오드(LED) 제작에 널리 사용된다.

또한, 1962년부터 근적외선 레이저 다이오드 생산에 활용되어 왔으며, 반도체 레이저의 주요 재료 중 하나로 사용되고 있다.

5. 3. 섬광체(Scintillator)



규소(Si) 공여체 원자(Ga 자리)와 붕소(B) 수용체 원자(As 자리)로 도핑된 ''n''형 비소화 갈륨(GaAs)은 이온화 방사선에 반응하여 섬광 광자를 방출한다. 극저온에서는 알려진 가장 밝은 섬광체 중 하나이며, 다음과 같은 6가지 필수적인 특징 때문에 암흑 물질과의 상호 작용에서 드물게 발생하는 전자 여기(excitation)를 감지하는 유망한 후보로 여겨진다.

# 비소화 갈륨의 규소 공여체 전자는 알려진 모든 ''n''형 반도체 중에서 가장 낮은 결합 에너지를 가진다. 1 cm3당 8 x 1015개 이상의 자유 전자는 "동결되지" 않고 극저온에서도 비국소화된 상태(delocalized state)를 유지한다.

# 붕소와 갈륨은 3족 원소이므로, 불순물인 붕소는 주로 갈륨 자리를 차지한다. 그러나 충분한 수의 붕소 원자가 비소 자리를 차지하여 가전자대에서 이온화 사건으로 생긴 정공(hole)을 효율적으로 가두는 수용체 역할을 한다.

# 가전자대에서 이온화 사건으로 생긴 정공을 포획한 붕소 수용체는 비국소화된 공여체 전자와 방사적으로 결합하여, 극저온 밴드갭 에너지(1.52 eV)보다 0.2 eV 낮은 에너지의 광자를 생성할 수 있다. 이는 비소화 갈륨 결정 자체에 흡수되지 않는 섬광 광자를 효율적으로 생성하는 방사 과정이다.

# 준안정 상태의 방사 중심이 비국소화된 전자에 의해 빠르게 소멸되기 때문에 지연광(delayed light)이 없다. 이는 열적으로 유도된 발광이 없다는 사실로 입증된다.

# ''n''형 비소화 갈륨은 굴절률이 약 3.5로 높으며, 좁은 각도 빔 흡수 계수는 자유 전자 밀도에 비례하여 일반적으로 cm당 몇 개 수준이다. 거의 모든 섬광 광자가 결정 내에서 포획되고 흡수될 것으로 예상되지만 실제로는 그렇지 않다. 최근 몬테카를로 및 페인만 경로 적분 계산에 따르면, 높은 광도는 좁은 각도 빔 흡수의 대부분이 절대적인 흡수가 아니라, 약 5 x 10-18 cm2의 단면적을 가진 전도 전자의 새로운 유형의 광학 산란 때문임을 보여준다. 이 산란은 섬광 광자가 전반사에서 벗어나 외부로 나올 수 있게 한다. 이 단면적은 톰슨 산란보다 약 107배 크지만, 금속 거울의 전도 전자의 광학 단면적과 유사하다.

# ''n''형 GaAs(Si, B)는 전자 회로 기판용으로 10kg의 결정 잉곳 형태로 상업적으로 성장시켜 얇은 웨이퍼로 절단된다. 결정 성장 동안 산화붕소는 비소의 손실을 막기 위한 캡슐화제로 사용되는데, 이는 섬광에 필요한 붕소 수용체를 제공하는 부가적인 이점도 있다.

5. 4. 광섬유 온도 측정

광섬유 온도 센서의 끝 부분에는 비소화 갈륨(GaAs) 결정을 부착하여 온도를 측정한다. 비소화 갈륨은 850nm 파장의 빛부터 광학적으로 반투명해지는 특성을 가진다. 반도체 물질인 비소화 갈륨의 밴드 갭 스펙트럼 위치는 온도에 따라 변하는데, 온도가 1K 변할 때마다 약 0.4nm씩 이동한다. 온도 측정 장치는 빛을 쏘는 광원과 밴드 갭의 스펙트럼 위치 변화를 감지하는 장치로 구성된다. 이 장치는 밴드 갭의 변화량(0.4nm/K)을 측정하고, 이를 바탕으로 알고리즘을 통해 온도를 계산한다. 이 과정은 모두 250ms 안에 이루어진다.[69]

6. 기타 응용

(내용 없음)

6. 1. 스핀-전하 변환기

비소화 갈륨(GaAs)은 스핀트로닉스 분야에서 백금을 대체하는 스핀-전하 변환기로 사용될 수 있다. 이는 백금보다 조정 가능성이 더 높다는 장점을 가지기 때문이다.[70]

7. 물리적, 화학적 성질

은색을 띠는 금속 화합물이다. 상온에서 안정적인 결정 구조는 섬아연광 구조(징크 블렌드형)이다. 분자량은 144.64, 녹는점은 1,511,000, 비중은 5.310이다. 비소 화합물이지만, 비소화 갈륨 자체의 독성은 약한 편이다. 그러나 산이나 수증기와 반응하여 유독한 아르신(AsH3)을 생성한다.

반도체 재료로서, 1.43 eV의 밴드갭을 가지는 III-V족 반도체에 속한다. 전자 이동도는 8500 cm2/(V·s)이고, 홀 이동도는 400 cm2/(V·s)이다.

8. 안전성 및 독성

갈륨 비소 공급원(예: 트라이메틸갈륨 및 아르신)의 환경, 건강 및 안전 측면과 유기 금속 전구체의 산업 위생 모니터링 연구 결과가 보고되었다.[71]

미국 캘리포니아는 갈륨 비소를 발암 물질로 지정했으며,[72] 국제 암 연구 기구(IARC)와 유럽 화학 물질청(ECA)도 마찬가지이다.[73] 국제 암 연구 기구(IARC)는 갈륨 비소를 Group 1 발암 물질로 분류하며, 동물에게 알려진 발암 물질로 간주된다.[74][75]

반면, 2013년 산업계의 자금 지원을 받은 한 검토에서는 다른 주장을 제기했다. 이 검토에서는 쥐나 생쥐가 미세한 GaAs 분말을 흡입할 경우, 암 발생은 GaAs 자체의 주요 발암 효과보다는 그로 인한 폐 자극과 염증의 결과라고 주장했다. 또한, 이러한 미세 GaAs 분말은 GaAs 생산 또는 사용 과정에서 생성될 가능성이 낮다고 주장했다.[73]

갈륨 비소의 발암성 때문에 이를 함유한 반도체 폐기 시에는 적절한 처리가 요구되며, 특히 일반 쓰레기에 혼입되지 않도록 세심한 주의가 필요하다. 또한, 분쇄나 파쇄 작업 시 발생하는 분진 흡입 위험성에도 주의해야 한다.

참조

[1] 문서 Haynes, p. 4.64
[2] 논문 Semiconducting and other major properties of gallium arsenide 1982
[3] 문서 Haynes, p. 12.90
[4] 문서 Haynes, p. 12.86
[5] 문서 Haynes, p. 12.81
[6] 서적 The Chemistry of the Semiconductor Industry Springer
[7] 학술지 Geochemische Verteilungsgesetze der Elemente https://books.google[...] I kommisjon hos Jacob Dybwad 1926
[8] 웹사이트 Hazardous Substances Data Bank (HSDB) : 4376 https://pubchem.ncbi[...] 2024-10-09
[9] 특허 US patent 2798989A
[10] 학술지 Über neue halbleitende Verbindungen https://www.degruyte[...] 1952-11-01
[11] 서적 Light-Emitting Diodes (4th Edition, 2023) https://books.google[...] E. Fred Schubert 2023-03-11
[12] 학술지 Phase extent of gallium arsenide determined by the lattice constant and density method https://journals.iuc[...] 1965-08-10
[13] 서적 Crystal Growth Technology Wiley
[14] 서적 Solid State Chemistry: An Introduction CRC Press
[15] 특허 "Chemical vapor deposition from single organometallic precursors" 1994
[16] 서적 Dopants and Defects in Semiconductors 2012
[17] 서적 Properties of Gallium Arsenide IEEE Inspec
[18] 특허 "Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic" 1988
[19] 학술지 Black GaAs by Metal-Assisted Chemical Etching https://discovery.uc[...] 2018-10-03
[20] 서적 Gallium Arsenide IC Applications Handbook https://books.google[...] Elsevier
[21] 서적 Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs Springer Science & Business Media 2010
[22] 웹사이트 What Are the Applications of Gallium Arsenide Semiconductors? {{!}} Wafer World https://www.waferwor[...] 2024-09-27
[23] 서적 Processor architecture: from dataflow to superscalar and beyond https://archive.org/[...] Springer
[24] 웹사이트 A reprieve for Moore's Law: milspec chip writes computing's next chapter https://arstechnica.[...] 2016-06-09
[25] 서적 An Introduction To Semiconductor Microtechnology John Wiley & Sons 1991
[26] 서적 Semiconductor Devices Physics and Technology John Wiley & Sons 1985
[27] 웹사이트 Single-Crystalline Thin Film https://web.archive.[...] US Department of Energy
[28] 서적 Electronic Devices and Circuits https://books.google[...] EDTECH 2022-01-20
[29] 웹사이트 'Better Yield on 5nm than 7nm': TSMC Update on Defect Rates for N5 https://www.anandtec[...] 2020-08-28
[30] 서적 Encyclopedia of Materials: Science and Technology https://doi.org/10.1[...] Elsevier 2021-01-27
[31] 뉴스 It's a GaAS: Critical Component for Cell Phone Circuits Grows in 2010 https://seekingalpha[...] 2010-12-15
[32] 웹사이트 A Comprehensive Guide to Gallium Arsenide Wafers https://www.sputtert[...] 2024-10-16
[33] 학술지 Design-processing features of microwave GaAs monolithic integrated circuits of a low-noise amplifier with a copper metallized frontside
[34] 서적 Encyclopedia of RF and Microwave Engineering Wiley
[35] 학술지 Charge Redistribution at GaAs/P3HT Heterointerfaces with Different Surface Polarity 2013-10-03
[36] 서적 High-Efficient Low-Cost Photovoltaics: Recent Developments Springer
[37] 논문 Solar-energy converters based on p-n AlxGa1−xAs-GaAs heterojunctions
[38] 웹사이트 Nanotechnology in energy applications https://web.archive.[...] 2005-11-16
[39] 웹사이트 Nobel Lecture http://nobelprize.or[...]
[40] 웹사이트 Hubble's Instruments Including Control and Support Systems (Cutaway) https://hubblesite.o[...] 2022-10-11
[41] 간행물 Ultrahigh spontaneous emission quantum efficiency, 99.7 % internally and 72 % externally, from AlGaAs/GaAs/AlGaAs double heterostructures
[42] 간행물 Design of GaAs Solar Cells Operating Close to the Shockley–Queisser Limit
[43] 웹사이트 Record Efficiency of 68.9% for GaAs Thin Film Photovoltaic Cell Under Laser Light - Fraunhofer ISE https://www.ise.frau[...] 2022-10-11
[44] 서적 High-Efficiency GaAs-Based Solar Cells https://www.intechop[...] IntechOpen 2021-04-14
[45] 웹사이트 Rocket Lab unveils space solar cell with 33.3% efficiency https://isolarparts.[...] 2022-10-12
[46] 웹사이트 Inverted Metamorphic Multijunction (IMM) Cell Processing Instructions https://www.nrel.gov[...] 2022-10-11
[47] 웹사이트 Glasgow University report on CERN detector http://ppewww.physic[...] 2013-10-16
[48] 간행물 Global Progress Toward Renewable Electricity: Tracking the Role of Solar 2021-11
[49] 간행물 Performance analysis of GaAs based solar cells under gamma irradiation https://www.scienced[...] 2020-04-30
[50] 보고서 A Techno-Economic Analysis and Cost Reduction Roadmap for III-V Solar Cells http://dx.doi.org/10[...] 2018-11-27
[51] 간행물 High efficiency GaAs thin film solar cells by peeled film technology 1978-12-01
[52] 간행물 Epitaxial lift-off process for gallium arsenide substrate reuse and flexible electronics 2013-03-12
[53] 서적 2021 IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) IEEE 2021-06-20
[54] 간행물 Overview of the Current State of Gallium Arsenide-Based Solar Cells 2021-06-04
[55] 보고서 Current Status of Concentrator Photovoltaic (CPV) Technology 2015-12-01
[56] 간행물 Coherent Light Emission From GaAs Junctions
[57] 간행물 Cryogenic scintillation properties of n -type GaAs for the direct detection of MeV/c2 dark matter 2018-03-21
[58] 간행물 GaAs as a Bright Cryogenic Scintillator for the Detection of Low-Energy Electron Recoils From MeV/c2 Dark Matter Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
[59] 간행물 How silicon and boron dopants govern the cryogenic scintillation properties of N-type GaAs 2021
[60] 논문 Monte Carlo calculations of cryogenic photodetector readout of scintillating GaAs for dark matter detection https://arxiv.org/ab[...]
[61] 간행물 Conductivity of n -type GaAs near the Mott transition 1987-09-15
[62] 간행물 Boron Site Distribution in Doped GaAs 2002
[63] 간행물 Infrared Absorption and Electron Effective Mass in n -Type Gallium Arsenide 1959-04-01
[64] 간행물 Optical Absorption of Gallium Arsenide between 0.6 and 2.75 eV 1962-08-01
[65] 간행물 Free Carrier Absorption in n -GaAs 1972
[66] 간행물 Monte Carlo calculations of the extraction of scintillation light from cryogenic ''n''-type GaAs
[67] 논문 Feynman photon path integral calculations of optical reflection, diffraction, and scattering from conduction electrons https://arxiv.org/ab[...]
[68] 논문 Dielectric function of six elemental metals
[69] 웹사이트 A New Fiber Optical Thermometer and Its Application for Process Control in Strong Electric, Magnetic, and Electromagnetic Fields http://www.optocon.d[...] 2014-11-29
[70] 웹사이트 GaAs forms basis of tunable spintronics https://web.archive.[...] 2014-09
[71] 간행물 Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors
[72] 웹사이트 Chemicals Listed Effective August 1, 2008 as Known to the State of California to Cause Cancer or Reproductive Toxicity: gallium arsenide, hexafluoroacetone, nitrous oxide and vinyl cyclohexene dioxide http://www.oehha.ca.[...] OEHHA 2008-08-01
[73] 간행물 Evaluation of the carcinogenicity of gallium arsenide
[74] 웹사이트 NTP Technical Report On The Toxicology And Carcinogenesis Studies Of Gallium Arsenide (Cas No. 1303-00-0) In F344/N Rats And B6c3f1 Mice (Inhalation Studies) http://ntp.niehs.nih[...] U.S. Department Of Health And Human Services: Public Health Service: National Institutes of Health 2000-09
[75] 웹사이트 Safety Data Sheet: Gallium Arsenide http://www.sigmaaldr[...] Sigma-Aldrich 2015-02-28
[76] 서적 Handbook of Inorganic Chemicals https://books.google[...] McGraw-Hill
[77] 웹사이트 Handbook on Semiconductor Properties http://www.worldscib[...] 2010-04-20
[78] 문서 Haynes, p. 4.64
[79] 문서 Haynes, p. 12.90
[80] 문서 Haynes, p. 12.86
[81] 문서 Haynes, p. 12.81
[82] 뉴스 2010년 인공위성에 국산 웨이퍼 이용한 태양전지 설치된다 전자신문 2009-07-23
[83] 뉴스 "[알아봅시다] GaAs(갈륨비소) 반도체" 디지털타임스 2008-09-17
[84] 뉴스 샤프, 최고 효율 '태양전지' 개발 전자신문 2006-11-07
[85] 뉴스 "[부품소재, 우리도 할 수 있다] (4) 네오세미테크 … 갈륨비소 반도체 국산화" 한국경제 2006-05-03
[86] 뉴스 포브스, "제2의 애플, 잡스는 계속 나올것" 파이낸셜뉴스 2011-10-16


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